RF 질화갈륨(GaN) 반도체 생산 기반을 갖춘 웨이비스가 장거리 지대공유도무기체계(L-SAM)의 핵심인 다기능레이더(MFR) 핵심 부품 국산화에 나선다.
웨이비스는 L-SAM 다기능레이더에 적용되는 핵심 RF GaN HEMT 칩 국산화를 위한 기술 개발을 본격화한다고 15일 밝혔다.
이번 개발 대상은 L-SAM 다기능레이더 송신부 고출력증폭보드에 적용되는 S대역 고출력 RF GaN HEMT 칩이다.
RF GaN 반도체는 레이더 송신부에서 높은 출력과 효율, 고전압 동작 특성을 구현하는 핵심 부품으로, 현재 해외에 의존하고 있다. 웨이비스는 이를 국내 기술로 대체해 안정적인 공급 기반을 확보하고, 장기간 운용되는 무기체계의 후속 군수지원 역량을 강화한다는 방침이다.
방산 분야는 장기간 안정적인 부품 공급과 후속 군수지원이 중요한 만큼, 해외 공급망 변화 및 수출 통제 등 조달 불확실성을 줄이는 것이 필수적이다.
웨이비스는 국내 생산시설을 기반으로 RF GaN HEMT 칩의 설계와 제조를 수행한 뒤, 개발 칩을 적용한 내부정합형 트랜지스터(IMFET)와 고출력증폭보드를 제작해 실제 체계 적용 가능성을 검증할 계획이다.
검증은 ▲칩 단위 전기적·RF 특성 평가 ▲IMFET 출력 및 효율 검증 ▲고출력증폭보드 최적화 ▲L-SAM 체계 구성품 연계시험 등 네 단계로 진행된다. 국산 칩의 소자 특성에 맞춰 패키지와 보드 설계를 함께 최적화하고, 기존 체계에서 요구되는 성능 충족에 중점을 둔다.
개발이 완료되면 웨이비스는 L-SAM 유지·보수 수요에 우선 대응한 뒤 국산화 인증 및 규격화 절차를 거쳐, 후속 양산과 국내외 유사 레이더·유도무기체계로 적용 범위를 확대해 나갈 계획이다.
이번 L-SAM 일반부품 국산화 개발을 통해 지상 방공체계 분야로 사업 영역을 넓히고, 향후 국산화 인증과 규격화를 기반으로 방산 레이더 및 유도무기체계용 RF 반도체 제품군을 지속적으로 확대해 나갈 방침이다.
웨이비스 관계자는 "이번 사업은 국산 RF GaN 반도체의 적용 영역을 지상 방공체계로 확대하는 중요한 계기"라며 "국내 설계·제조 기반과 칩부터 패키지트랜지스터, 고출력증폭보드까지 연계할 수 있는 기술력을 바탕으로 L-SAM 핵심 부품의 공급 안정성과 후속 군수지원 역량을 한층 강화하겠다"고 말했다.
