현대전의 '게임 체인저'로 부상한 드론 위협에 맞서, RF(고주파) 질화갈륨(GaN) 반도체·방산 전문기업 웨이비스가 자사의 핵심 RF GaN 반도체 기술로 14억 인구 인도 시장에 본격 진출한다.

웨이비스는 인도 유력 방산 기업과 206만달러(약 29억원) 규모의 RF GaN 반도체 기반 고출력증폭기(HPA) 공급 계약을 체결했다고 13일 밝혔다.

이번 계약은 지난 7월 체결한 개발 프로젝트가 성공적으로 완료된 데 따른 첫 양산 물량 수주다. 웨이비스의 기술력과 신뢰성을 입증한 셈이다. 이 HPA는 국경지대에 설치되는 전자전(EW) 장비 내 안티드론 시스템에 탑재된다.

최근 드론 공격이 현대전의 핵심 위협으로 부상하며 안티드론 솔루션은 필수 요소가 됐다. RF GaN 반도체 기반 고출력증폭기는 장거리·고정밀 대응을 가능하게 하는 핵심 부품으로, 기술 경쟁력이 시장 점유율을 좌우한다.

최근 첨단무기체계용 RF GaN 반도체 수급난이 심화되는 가운데 인도는 정부의 방위산업 강화 정책과 구형 무기체계의 첨단화 수요가 맞물려 있다. 이에 따라 인도 정부는 GaN 반도체 등 핵심 기술 확보에 주력하고 있다.

웨이비스 관계자는 "이번 수주는 단발성에 그치지 않고, 향후 추가 계약이 지속적으로 발생할 가능성이 높다"며 "인도 유수의 방산 기업으로부터 기술력을 인정받아 성사된 계약이라는 점에서 의미가 크며, 다음 단계에서는 더 큰 규모의 프로젝트가 예상돼 글로벌 방산 시장에서 웨이비스의 입지가 한층 강화될 것"이라고 말했다.

웨이비스는 국내 유일의 RF GaN 반도체 IDM(종합반도체업체)으로, 이번 계약을 발판 삼아 중동·동남아 등 전략적 지역으로의 수출 확대를 기대하고 있다.