반도체 장비 전문기업 아이에스티이는 중소기업기술정보진흥원이 추진하는 ‘반도체 3D 적층을 위한 첨단 패키징 소재 기술개발’ 국책과제의 주관연구기관으로 선정돼 연구개발 협약을 체결했다고 25일 밝혔다.

이번 과제는 중소기업기술정보진흥원이 주관하는 ‘중소기업기술혁신개발사업’의 일환으로 아이에스티이를 비롯해 퍼듀대학교와 나노종합기술원이 참여하는 글로벌 협력형 R&D 프로젝트다. 

총 사업 규모는 17억원 규모이며, 2025년부터 2028년 6월까지 3년간 진행된다. 사전 연구를 통해 타당성과 성과물이 검증된 과제만 본 연구에 진입하는 구조로 추진된다.

아이에스티이는 이번 국책과제를 통해 차세대 3D 패키징의 핵심 기술인 하이브리드 본딩(Hybrid Bonding)에 적합한 고신뢰성 유전체 박막과 최적화된 장비를 개발, 국내 반도체 제조사의 제품 적용을 목표로 하고 있다. 

특히 현재 진행 중인 하이브리드 본딩용 PECVD 장비 개발 과정에서 기존 상용 유전체(SiO₂)의 물성 한계를 확인했으며 이를 대체할 새로운 유전체 개발 필요성이 부각됐다. 

새 유전체는 저온 공정에서 구현 가능해야 하며, 높은 평탄도와 본딩 강도를 갖춰야 한다. 아이에스티이는 유전체 박막·플라즈마 표면 처리·저온 접합 분야의 세계적 역량을 보유한 퍼듀대학교와 협력해 최적화된 유전체 박막 및 공정을 확보하고, 이를 생산할 수 있는 장비를 개발해 국내 반도체 업체에 공급할 계획이다.

진병주 아이에스티이 부사장은 “AI, 고성능 컴퓨팅(HPC), 서버, GPU 등 고성능 분야에서 초고속 데이터 전송을 위한 HBM 수요가 급격히 확대되고 있다”며 “특히 엔비디아가 차세대 GPU ‘루빈(Rubin)’에 HBM4 탑재를 추진하는 등 적층 반도체 기술 고도화가 진행 중이지만, 본딩 인터페이스의 높이 한계로 인해 하이브리드 본딩 기술이 차세대 핵심으로 부상하고 있다”고 설명했다. 

이어 “아이에스티이는 퍼듀대와 협력해 최적의 유전체 박막 조건과 장비를 개발, 국내 소자 업체 진입을 목표로 하고 있다”고 덧붙였다.

조창현 대표이사는 “하이브리드 본딩 시장은 글로벌 대기업도 주목하는 차세대 성장 분야”라며 “현재 후공정용 PECVD 장비는 미국의 AMAT와 LAM Research 등 글로벌 장비사만이 개발 중이지만, 당사는 SK하이닉스 전공정 SiCN PECVD 장비 공급 경험과 고객사와의 신뢰를 기반으로 시장 진입에 성공할 것”이라고 자신감을 보였다.