16일(현지시간) 미국 새너제이에서 막을 올린 'GTC 2026' 기조연설 무대에 오른 젠슨 황 엔비디아 최고경영자(CEO)는 삼성전자를 향해 각별한 감사의 뜻을 전했다. 그는 "삼성이 엔비디아를 위해 '그록(Groq)3' 언어처리장치(LPU) 칩을 전담 제조하며 생산 물량을 발 빠르게 늘려주고 있다"고 강조했다. 또한 이 칩이 차세대 AI 플랫폼 '베라 루빈'에 탑재돼 이르면 올 3분기부터 본격 출하될 것이라는 구체적인 로드맵도 함께 제시했다.

그록3 LPU는 엔비디아의 '루빈' 그래픽처리장치(GPU)와 기능을 분담해 추론 작업의 효율과 성능을 높이는 역할을 한다. 황 CEO의 이번 언급으로 삼성전자 파운드리 사업부의 해당 칩 수탁 생산 사실이 공식화됐다. 삼성전자는 기존 고대역폭메모리(HBM) 공급망에 이어 파운드리 분야에서도 엔비디아와 긴밀한 협력 관계를 구축하고 있음을 시장에 알리게 된 셈이다.

이날 GTC 행사장에서는 삼성전자의 메모리 기술력도 주목받았다. 삼성전자는 현장 부스에서 차세대 메모리 'HBM4E' 실물 칩과 적층용 핵심 소자인 '코어 다이' 웨이퍼를 처음으로 공개했다. 올 하반기 샘플 출하가 예정된 HBM4E는 핀당 16Gbps(초당 기가비트)의 전송 속도와 4.0TB/s(초당 테라바이트)의 대역폭을 갖췄다. 지난달 세계 최초로 양산에 돌입한 6세대 HBM4의 13Gbps 전송 속도와 3.3TB/s 대역폭을 웃도는 수준이다.

삼성전자는 HBM4 양산으로 축적한 1c(10나노급 6세대) D램 공정 노하우와 삼성 파운드리의 4㎚(나노미터) 베이스 다이 설계 기술을 결합해 HBM4E 완성 시기를 앞당길 방침이다. 메모리부터 자체 파운드리, 로직 설계, 첨단 패키징까지 사내 전 부문의 기술력을 결집해 시너지를 극대화하고 있다는 것이 회사 측 설명이다.

최신 제품 양산과 동시에 차기작을 선보인 것은 SK하이닉스·마이크론 등 경쟁 업체를 따돌리겠다는 의도로 풀이된다. 전시장에 설치된 'HBM4 히어로 월(Hero Wall)'은 종합반도체기업(IDM)으로서 삼성전자의 차별화된 위상을 보여줬다.

삼성전자는 또 열과 압력으로 칩을 접합하는 기존 열압착접합(TCB) 공정보다 열 저항을 20%가량 낮추고 16단 이상의 칩 적층을 가능케 하는 하이브리드구리접합(HCB) 패키징 기술을 영상으로 소개했다.

부스 전면에는 엔비디아와의 협력을 보여주는 핵심 부품들이 전시됐다. 엔비디아 차세대 GPU '루빈'용 HBM4, 중앙처리장치(CPU) '베라'에 맞춘 서버용 저전력 메모리 모듈 소캠(SOCAMM)2, 기업용 6세대 SSD 'PM1763' 스토리지가 나란히 배치되며 베라 루빈 플랫폼 구동에 필요한 메모리 전량을 공급할 수 있다는 자신감을 내비쳤다.

한편 송용호 삼성전자 AI센터장은 17일 GTC 엔비디아 특별 초청 세션 연사로 나선다. 송 센터장은 엔비디아가 주도하는 AI 인프라 혁신을 뒷받침할 삼성전자 메모리 사업의 '토털 솔루션' 청사진을 공유할 계획이다.