국방 전자전 및 RF 전문기업 빅텍이 차세대 무기체계의 눈과 귀로 불리는 고출력 질화갈륨(GaN) 반도체 분야에서 미국 최고 수준의 설계 기업과 손잡고, K-방산 핵심 부품 국산화에 본격 나섰다.
빅텍은 미국 반도체 기업 넥스빔(Nxbeam)과 전략적 협력 양해각서(MOU)를 체결했다고 27일 밝혔다.
넥스빔은 GaN 기반 고출력 RF 밀리미터파(mmWave) 반도체 및 증폭기 설계 기술을 보유한 기업으로, 미국 방산기업 노스롭그루만(Northrop Grumman)의 GaN 반도체 제조 시설(Fab)을 활용해 반도체를 생산하며 위성 통신 및 국방 전자 분야에 필요한 초고주파 고출력 반도체 설계 역량을 갖추고 있다.
빅텍은 이번 협약을 통해 차세대 전자전 및 위성 통신 시스템에 적용되는 고출력 RF 반도체 핵심 기술을 확보하고, 국방 반도체 기술 자립 기반도 강화한다.
고출력 GaN RF 반도체는 전자전 재머·위성 통신·AESA(능동위상배열) 레이더 등에 쓰이는 첨단 국방 시스템의 핵심 부품이다. 기존 반도체 대비 높은 출력 성능과 효율을 제공해 차세대 국방 전자전 및 위성 통신 시스템을 중심으로 활용 영역이 넓어지고 있으며, 기술 확보 여부가 무기체계 성능과 직결된다는 점에서 전략적 중요성이 크다.
빅텍은 이번 협력을 통해 넥스빔의 고출력 GaN 반도체 설계 기술과 자사의 증폭기·시스템 기술을 연계해 국방 반도체 핵심 기술을 확보하고, 기술 자립 기반을 다져 글로벌 전자전 및 위성 통신 시장에 진출한다는 방침이다.
빅텍 관계자는 "이번 넥스빔과의 협력은 세계 최고 수준의 GaN 반도체 제조 기반과 설계 기술을 활용해 고출력 RF 반도체 및 증폭기 기술 경쟁력을 확보하기 위한 전략적 결정"이라며 "국내 국방 반도체 기술 자립 기반을 강화하고 전자전 및 위성 통신 분야에서 글로벌 수준의 기술 경쟁력을 확보해 나가겠다"고 말했다.
