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반도체 장비 전문기업 아이에스티이(ISTE)가 첨단 반도체 공정에 필수적인 'SiCN 플라즈마 화학기상증착(PECVD)' 장비 국산화에 성공, SK하이닉스의 최종 기술 검증을 마치고 양산 진입 초읽기에 들어간 것으로 확인됐다. HBM(고대역폭메모리) 선두주자인 SK하이닉스가 국산화 파트너로 아이에스티이를 낙점하면서, 외산 장비에 의존해 온 국내 반도체 생태계에 중대한 변화가 예고된다.
30일 아이에스티이 관계자는 "SK하이닉스와 양산 검증 단계에 있으며, 지난달 SK하이닉스 국산화 협력기업으로 소개됐다"며 "기술력은 SK하이닉스로부터 검증받았다고 보면 된다"고 말했다. 이는 양산 공급이 임박했음을 시사하는 대목이다.
첨단 반도체 공정에서 절연막을 형성하는 SiCN PECVD 장비 시장은 그동안 미국의 어플라이드 머티리얼즈(AMAT), 램리서치(LAM Research) 등 글로벌 탑2 기업이 100% 장악해 온 난공불락의 영역이었다. 이는 국내 반도체 기업들에게 공급망 리스크이자 극복해야 할 과제였으나, 아이에스티이가 2021년 국책과제를 통해 국산화에 성공하며 독과점을 깼다.
아이에스티이는 SK하이닉스로부터 기술혁신기업으로 선정된 이후 최종 양산 퀄테스트(Qual Test)를 진행해왔으며, 현재 본격적인 양산을 위한 마지막 검증 단계를 거치고 있다. 상반기 내 볼륨 평가가 완료될 예정으로, 올해부터 본격적인 매출 발생이 기대된다.
아이에스티이의 기술력은 이미 주력 사업인 풉 클리너(FOUP Cleaner) 시장에서 증명됐다. 회사는 HBM용 400mm 풉 클리너를 국내 최초로 개발해 SK하이닉스에 공급 중이며, SK하이닉스 내에서는 기존 일본 경쟁사의 물량을 대부분 흡수하며 핵심 파트너로 자리 잡았다. 또한 삼성전자에도 공급 이력이 있어 향후 신규 공장 증설 시 추가 공급 가능성도 열려 있다.
KB증권에 따르면 SiCN-PECVD 공정은 Cu 신호 지연 개선 및 Cu의 확산을 막기 위해 필요하며, 반도체 미세화 및 HBM의 고단화 및 하이브리드 공정 도입에 따라 SiCN PECVD 공정의 Step 수는 증가할 것으로 예상된다.
특히 DRAM 공정에서 SiCN-PECVD의 Step 수는 HBM 공정에서 2배 이상 증가한다. 하반기 PECVD 매출 발생과 함께 제품 믹스 개선되며 올해 영업이익률 또한 대폭 개선될 전망이다.
특히 SiCN은 전공정 뿐만 아니라 하이브리드 본딩(Hybrid Bonding) 기술의 핵심 소재로 주목받고 있는 차세대 메모리 반도체용 절연막 소재로 꼽힌다. 하이브리드 본딩은 칩과 웨이퍼 간 직접적인 구리 대 구리 연결을 통해 고밀도 상호 연결을 구현하는 첨단 패키징 기술이며 AI와 고성능 컴퓨팅 분야에서 필수적인 기술로 부상하고 있어, 관련 설비 투자 확대가 기대된다.
